| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Raman characterization of cylindrical polycrystalline I[lc]n(x)G[lc]a(1-x)A[lc]s starting material |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(sub x)Ga(sub 1-x)As |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多結晶質 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
対流 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微小重力 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
ラマン散乱 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成分プロファイル |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
均質性 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(sub x)Ga(sub 1 minus x)As |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
polycrystal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
convective flow |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microgravity |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Raman scattering |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
compositional profile |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
homogeneity |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
円筒多結晶質初期物質のラマン散乱による特性解明 |
| 著者 |
Verma, P.
Islam, M. R.
山田, 正良
龍見, 雅美
木下, 恭一
Verma, P.
Islam, M. R.
Yamada, Masayoshi
Tatsumi, Masami
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
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住友電気工業 伊丹研究所 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム |
| 著者所属（英） |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
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en |
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Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属（英） |
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en |
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Sumitomo Electric Industries Ltd. Itami Research Laboratories |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Program |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
en : NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
p. 85-89,
発行日 2001-12-25
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Crystal growth of spatially homogeneous In(x)Ga(1-x)As substrates, which has a tunable lattice matching between the substrate and the epilayer for InGaAs-based optoelectronic devices, is very difficult due to the considerable amount of convective flow on ground. This problem can be overcome, if the crystal growth is carried out in micro-gravity conditions and the starting material is chosen with particular specifications. The initial studies have indicated that the starting material is required to be cylindrically shaped polycrystalline InGaAs with a particular gradient in its compositional profile. This starting material has been grown and grinded to the required shape. In a view to analyze the compositional profile of this cylindrical polycrystalline starting material using a non-destructive method, some results of micro-Raman scattering studies are reported. Further, the effect of the surface condition on Raman results are also discussed, by comparing the results obtained from as-grinded and polished surfaces. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0032602007 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-010016E |
32602007.pdf (757.3 kB)
