| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Effect of crucible materials for liquid S[lc]i diffusion measurements |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
液体Si |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
拡散測定 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
るつぼ材料 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
BN |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
PBN |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
濃度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
溶融点 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
研究開発 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
liquid Si |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
diffusion measurement |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crucible material |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
BN |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
PBN |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
concentration |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
melting point |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
research and development |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
液体Si拡散測定のためのるつぼ材料の影響 |
| 著者 |
深澤, 智晴
兼子, 稔
内田, 美佐子
寺嶋, 一高
Fukazawa, Tomoharu
Kaneko, Minoru
Uchida, Misako
Terashima, Kazutaka
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| 著者所属 |
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石川島ジェットサービス 宇宙部 |
| 著者所属 |
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石川島ジェットサービス 宇宙部 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
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湘南工科大学 材料工学科 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Ishikawajima Jet Service Co. Ltd. Space Department |
| 著者所属（英） |
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en |
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Ishikawajima Jet Service Co. Ltd. Space Department |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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Shonan Institute of Technology Department of Materials Science and Technology |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
en : Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Report 2000
p. 119-122,
発行日 2002-02-28
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
In order to choose a crucible material for liquid Si diffusion experiments, a Boron Nitride (BN) and Pyrolytic Boron Nitride (PBN) were examined. The Si sample was heated in a BN and a PBN crucible, and the concentrations of B and N were analyzed. The concentration of B amounted to 5-8 x 10(exp 19) atoms/cc even after the sample was held at just above the melting point (1713 K) for a short period (10 minutes). N concentration was about 2 x 10(exp 17) atoms/cc, that is 2 orders smaller than B concentration. The reaction of the Si sample to BN or PBN crucible was not observed. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0033133012 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-010019E |
33133012.pdf (844.8 kB)
