| Item type |
会議発表論文 / Conference Paper(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
宇宙用多接合太陽電池における放射線照射効果の発光解析 |
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言語 |
jpn |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多接合太陽電池 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
放射線耐性 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
航空宇宙環境 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
評価 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
劣化 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
電子照射 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
フォトルミネッセンス |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
エレクトロルミネッセンス |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
p-n接合 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
発光ダイオード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
multi-junction solar cell |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
radiation tolerance |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
aerospace environment |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
evaluation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
degradation |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
electron irradiation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
photoluminescence |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
electroluminescence |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
p-n junction |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
light emitting diode |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 |
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資源タイプ |
conference paper |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| その他のタイトル（英） |
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その他のタイトル |
Luminescence analysis of radiation effects in space multijunction solar cells |
| 著者 |
杉本, 広紀
田島, 道夫
今泉, 充
Sugimoto, Hiroki
Tajima, Michio
Imaizumi, Mitsuru
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| 著者所属 |
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東京大学 工学部 |
| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構 総合技術研究本部 |
| 著者所属（英） |
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en |
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University of Tokyo Faculty of Engineering |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space Technology and Aeronautics |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA/ISAS) |
| 書誌情報 |
第24回宇宙エネルギーシンポジウム 平成16年度
en : The Twenty-fourth Space Energy Symposium March 7, 2005
p. 22-26,
発行日 2005-06
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Multijunction (MJ) solar cells have received extensive attention for use in space satellites because of their high efficiency. The radiation tolerance of the cells is important for space applications. Understanding the degradation mechanisms is essential to develop high quality MJ cells, although investigation of the radiation effects in these cells is very difficult because of their complex structure. The purposes of this study were to develop useful methods with which to evaluate radiation effects in the respective sub cells of the MJ cell, and to investigate their degradation mechanisms. We successfully applied selective excitation photoluminescence (PL) and electroluminescence (EL) spectroscopy to analysis of the 1 MeV electron irradiation effects in the MJ cells. The PL peak intensity of band-edge emission from the InGaP2 cell scarcely degraded after irradiation, while that of the GaAs cell decreased considerably. The degradation rate of PL intensity of the Ge cell was less than that of the GaAs cell. The degradation tendencies of EL from the respective sub cells were similar to those of PL measurement. The result of EL spectroscopy paralleled the change in conversion efficiencies of the MJ cells. Shape of the PL spectrum from the GaAs cell changed dramatically except for the emission peak above the band-gap which hardly degraded after the electron irradiation. From these findings, we concluded that the radiation tolerance becomes higher in the order of GaAs, Ge and InGaP2 cells. In addition, we were able to analyze the formation of natural superlattice in the InGP2 cell and determine the doping amount of In in the GaAs cell. We were also able to perform macroscopic and microscopic mappings of PL and EL intensities on the respective sub cells, which were useful for evaluation of the performance uniformity. The characteristic patterns resulting from the dislocations of the cells were observed. We believe that the present study will contribute greatly to the development of highly efficient and highly radiation tolerant MJ cells. |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0049120005 |
