WEKO3
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{"_buckets": {"deposit": "c854da05-541c-448e-ae51-b5409b1323ce"}, "_deposit": {"created_by": 1, "id": "17565", "owners": [1], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "17565"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:jaxa.repo.nii.ac.jp:00017565", "sets": ["1720", "1891"]}, "author_link": ["158985", "158984"], "item_5_alternative_title_2": {"attribute_name": "その他のタイトル(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_alternative_title": "Temperature characteristics on multi-junction solar cells"}]}, "item_5_biblio_info_10": {"attribute_name": "書誌情報", "attribute_value_mlt": [{"bibliographicIssueDates": {"bibliographicIssueDate": "2008-05", "bibliographicIssueDateType": "Issued"}, "bibliographicPageEnd": "17", "bibliographicPageStart": "5", "bibliographicVolumeNumber": "18", "bibliographic_titles": [{"bibliographic_title": "高温エレクトロニクス研究会"}, {"bibliographic_title": "ISAS Research Meeting on high Temperature Electronics", "bibliographic_titleLang": "en"}]}]}, "item_5_description_14": {"attribute_name": "会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "第18回高温エレクトロニクス研究会. 日時: 2008年3月5日. 会場: 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_5_description_16": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "InGaP/GaAs/Ge3接合型太陽電池の概要と温度特性について述べる。高温ではGeボトムセルの電圧がほぼ0になるため、3接合セルの開放電圧は2接合セルと同等になる。照射する光強度を増加させることでGeセルの電圧は増加し、3接合セルの解法電圧に寄与する。", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_5_description_17": {"attribute_name": "抄録(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "Temperature characteristics of InGaP/GaAs/Ge triple-junction cell is presented. Open circuit voltage of the triple-junction cell is not so different from that of dual junction cell in high temperature range, because voltage of Ge bottom cell becomes almost zero. Voltage of the Ge cell increases as the light intensity increases and contributes for the open circuit voltage of the triple-junction cell.", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_5_description_32": {"attribute_name": "資料番号", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "資料番号: AA0063966001", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_5_publisher_8": {"attribute_name": "出版者", "attribute_value_mlt": [{"subitem_publisher": "宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙科学情報解析センター"}]}, "item_5_publisher_9": {"attribute_name": "出版者(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_publisher": "The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)"}]}, "item_5_source_id_24": {"attribute_name": "書誌レコードID", "attribute_value_mlt": [{"subitem_source_identifier": "AA11987120", "subitem_source_identifier_type": "NCID"}]}, "item_5_text_35": {"attribute_name": "JAXAカテゴリ", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "JAXAカテゴリ: シンポジウム・研究会"}]}, "item_5_text_36": {"attribute_name": "JAXAカテゴリ2", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "JAXAカテゴリ2: IS"}]}, "item_5_text_42": {"attribute_name": "シンポジウム区分", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "シンポジウム区分: 014"}]}, "item_5_text_43": {"attribute_name": "DSpaceコレクション番号", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "DSpaceコレクション番号: 7"}]}, "item_5_text_6": {"attribute_name": "著者所属", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "シャープソーラーシステム事業本部"}]}, "item_5_text_7": {"attribute_name": "著者所属(英)", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_language": "en", "subitem_text_value": "Solar Systems Group, SHARP"}]}, "item_access_right": {"attribute_name": "アクセス権", "attribute_value_mlt": [{"subitem_access_right": "metadata only access", "subitem_access_right_uri": "http://purl.org/coar/access_right/c_14cb"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "高本, 達也"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "158984", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "Takamoto, Tatsuya", "creatorNameLang": "en"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "158985", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "conference paper", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_5794"}]}, "item_title": "多接合型太陽電池の高温特性", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "多接合型太陽電池の高温特性"}]}, "item_type_id": "5", "owner": "1", "path": ["1720", "1891"], "permalink_uri": "https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/17565", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2015-03-26"}, "publish_date": "2015-03-26", "publish_status": "0", "recid": "17565", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["多接合型太陽電池の高温特性"], "weko_shared_id": -1}
多接合型太陽電池の高温特性
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/17565
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/175650dfbde17-5e19-444c-b4e5-65d1b136b80b
Item type | 会議発表論文 / Conference Paper(1) | |||||
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公開日 | 2015-03-26 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 多接合型太陽電池の高温特性 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 | |||||
資源タイプ | conference paper | |||||
アクセス権 | ||||||
アクセス権 | metadata only access | |||||
アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||
その他のタイトル(英) | ||||||
その他のタイトル | Temperature characteristics on multi-junction solar cells | |||||
著者 |
高本, 達也
× 高本, 達也× Takamoto, Tatsuya |
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著者所属 | ||||||
シャープソーラーシステム事業本部 | ||||||
著者所属(英) | ||||||
en | ||||||
Solar Systems Group, SHARP | ||||||
出版者 | ||||||
出版者 | 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部宇宙科学情報解析センター | |||||
出版者(英) | ||||||
出版者 | The Institute of Space and Astronautical Science, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) | |||||
書誌情報 |
高温エレクトロニクス研究会 en : ISAS Research Meeting on high Temperature Electronics 巻 18, p. 5-17, 発行日 2008-05 |
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会議概要(会議名, 開催地, 会期, 主催者等) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 第18回高温エレクトロニクス研究会. 日時: 2008年3月5日. 会場: 宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部相模原キャンパス | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | InGaP/GaAs/Ge3接合型太陽電池の概要と温度特性について述べる。高温ではGeボトムセルの電圧がほぼ0になるため、3接合セルの開放電圧は2接合セルと同等になる。照射する光強度を増加させることでGeセルの電圧は増加し、3接合セルの解法電圧に寄与する。 | |||||
抄録(英) | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | Temperature characteristics of InGaP/GaAs/Ge triple-junction cell is presented. Open circuit voltage of the triple-junction cell is not so different from that of dual junction cell in high temperature range, because voltage of Ge bottom cell becomes almost zero. Voltage of the Ge cell increases as the light intensity increases and contributes for the open circuit voltage of the triple-junction cell. | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA11987120 | |||||
資料番号 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 資料番号: AA0063966001 |