| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2019-10-25 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Physical Analysis of Damage Sites Introduced by SEGR in Silicon Vertical Power MOSFETs and Implications for Postirradiation Gate-Stress Test |
|
言語 |
en |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Postgate stress |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
power MOSFETs |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
radiation damage |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
single-event gate rupture (SEGR) |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
|
資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
|
|
アクセス権 |
metadata only access |
|
アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
久保山, 智司
水田, 栄一
仲田, 祐希
新藤, 浩之
Kuboyama, Satoshi
Mizuta, Eiichi
Nakada, Yuki
Shindou, Hiroyuki
|
| 著者所属 |
|
|
|
宇宙航空研究開発機構(JAXA) |
| 著者所属 |
|
|
|
宇宙航空研究開発機構(JAXA) |
| 著者所属 |
|
|
|
宇宙航空研究開発機構(JAXA) |
| 著者所属 |
|
|
|
宇宙航空研究開発機構(JAXA) |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 出版者（英） |
|
|
出版者 |
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE) |
| 書誌情報 |
en : IEEE Transactions on Nuclear Science
巻 66,
号 7,
p. 1710-1714,
発行日 2019-03-05
|
| 内容記述 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
形態: カラー図版あり |
| 内容記述（英） |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
Physical characteristics: Original contains color illustrations |
| 内容記述（英） |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
Accepted: 2019-02-21 |
| ISSN |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
0018-9499 |
| 書誌レコードID |
|
|
収録物識別子タイプ |
NCID |
|
収録物識別子 |
AA00667999 |
| DOI |
|
|
|
識別子タイプ |
DOI |
|
|
関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1109/TNS.2019.2902871 |
|
|
関連名称 |
info:doi/10.1109/TNS.2019.2902871 |
| 資料番号 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
資料番号: PA1910060000 |
