| Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
On the reaction scheme for Ti/TiN chemical vapor deposition (CVD) process using TiCl4 |
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言語 |
en |
| 言語 |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
望月, 祐志
岡本, 穏治
石谷, 明彦
廣瀬, 和之
高田, 俊和
Mochizuki, Yuji
Okamoto, Yasuharu
Ishitani, Akihiko
Hirose, Kazuyuki
Takada, Toshikazu
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| 著者所属 |
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日本電気（株）基礎研究所 |
| 著者所属 |
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日本電気（株）基礎研究所 |
| 著者所属 |
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日本電気（株）ULSIデバイス開発研究所 |
| 著者所属 |
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日本電気（株）ULSIデバイス開発研究所 |
| 著者所属 |
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日本電気（株）基礎研究所 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation |
| 著者所属（英） |
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en |
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Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation |
| 著者所属（英） |
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en |
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ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 著者所属（英） |
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en |
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ULSI Device Development Laboratories, NEC Corporation |
| 著者所属（英） |
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en |
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Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation |
| 出版者（英） |
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出版者 |
The Japan Society of Applied Physics |
| 書誌情報 |
en : Japanese Journal of Applied Physics Letters
巻 34,
号 3A,
p. L326-L329,
発行日 1995
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| 内容記述（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Accepted: 1995-01-21 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA10650595 |
| DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.34.L326 |
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関連名称 |
info:doi/10.1143/JJAP.34.L326 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: SA1002021000 |
