Item type |
学術雑誌論文 / Journal Article(1) |
公開日 |
2015-03-26 |
タイトル |
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タイトル |
Uniaxial and biaxial strain field dependence of the thermal oxidation rate of silicon |
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言語 |
en |
言語 |
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言語 |
eng |
資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 |
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資源タイプ |
journal article |
アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
著者 |
乃万, 裕一
高橋, 宏行
藤岡, 洋
尾嶋, 正治
馬場, 祐治
廣瀬, 和之
丹羽, 正昭
臼田, 宏治
平下, 紀夫
Noma, Hirokazu
Takahashi, Hiroyuki
Fujioka, Hiroshi
Oshima, Masahara
Baba, Yuji
Hirose, Kazuyuki
Niwa, Masaaki
Usuda, Koji
Hirashita, Norio
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著者所属 |
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東京大学 |
著者所属 |
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東京大学 |
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東京大学 |
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東京大学 |
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日本原子力研究開発機構 |
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宇宙科学研究所 |
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半導体理工学研究センター |
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半導体理工学研究センター |
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半導体理工学研究センター |
著者所属(英) |
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en |
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Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
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en |
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Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
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en |
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Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
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en |
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Department of Applied Chemistry, The University of Tokyo |
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Japan Atomic Energy Research Institute |
著者所属(英) |
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Institute of Space and Astronautical Science (ISAS) |
著者所属(英) |
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Semiconductor Technology Academic Research Center |
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en |
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Semiconductor Technology Academic Research Center |
著者所属(英) |
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Semiconductor Technology Academic Research Center |
出版者(英) |
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出版者 |
American Institute of Physics |
書誌情報 |
en : Journal of Applied Physics
巻 90,
号 10,
p. 5434-5437,
発行日 2001-11
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内容記述(英) |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Accepted: 2001-08-30 |
ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
0021-8979 |
書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA00693547 |
DOI |
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識別子タイプ |
DOI |
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関連識別子 |
http://dx.doi.org/10.1063/1.1413229 |
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関連名称 |
info:doi/10.1063/1.1413229 |
資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: SA1002030000 |