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アイテム
電子線照射発光活性化法による極薄ＳＯＩ層中軽元素不純物の評価
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/30260
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/30260adfab143-04ca-47f0-b621-fbe977944c05
| Item type | 学位論文 / Thesis or Dissertation(1) | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2015-03-26 | |||||||||
| タイトル | ||||||||||
| タイトル | 電子線照射発光活性化法による極薄ＳＯＩ層中軽元素不純物の評価 | |||||||||
| 言語 | ||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec | |||||||||
| 資源タイプ | thesis | |||||||||
| アクセス権 | ||||||||||
| アクセス権 | metadata only access | |||||||||
| アクセス権URI | http://purl.org/coar/access_right/c_14cb | |||||||||
| その他のタイトル（英） | ||||||||||
| その他のタイトル | Evaluation of Light Element Impurities in Ultrathin SOI Wafers by Luminescence Activation Using Electron Irradiation | |||||||||
| 著者 |
中川, 聰子
× 中川, 聰子
× Nakagawa, Satoko
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| 著者所属 | ||||||||||
| 総合研究大学院大学, 物理科学研究科, 宇宙科学専攻 | ||||||||||
| 著者所属（英） | ||||||||||
| en | ||||||||||
| The Graduate University for Advanced Studies, School of Physical Sciences, Space and Astronautical Science | ||||||||||
| 出版者 | ||||||||||
| 出版者 | 総合研究大学院大学(SOKENDAI) | |||||||||
| 出版者（英） | ||||||||||
| 出版者 | The Graduate University for Advanced Studies(SOKENDAI) | |||||||||
| 書誌情報 | p. 1-106, 発行日 2008-03-19 | |||||||||
| 関係URI | ||||||||||
| 識別子タイプ | URI | |||||||||
| 関連識別子 | http://id.nii.ac.jp/1013/00000556/ | |||||||||
| 関連名称 | http://id.nii.ac.jp/1013/00000556/ | |||||||||
| 内容記述 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 博士（工学) 総研大甲第1134号 | |||||||||
| 資料番号 | ||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||
| 内容記述 | 資料番号: SA8000014000 | |||||||||
