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会議発表論文 / Conference Paper(1) |
| 公開日 |
2016-08-01 |
| タイトル |
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タイトル |
Measurement of Ion Beam Induced Current in Quantum Dot Solar Cells |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
quantum dots |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
solar sell |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
space applications |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
radiation response |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
protons |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 |
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資源タイプ |
conference paper |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
中村, 徹哉
今泉, 充
佐藤, 真一郎
菅谷, 武芳
望月, 透
岡野, 好伸
大島, 武
Nakamura, Tetsuya
Imaizumi, Mitsuru
Sato, Shinichiro
Sugaya, Takeyoshi
Mochizuki, Toru
Okano, Yoshinobu
Oshima, Takeshi
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| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構研究開発部門第一研究ユニット (JAXA) |
| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構研究開発部門第一研究ユニット (JAXA) |
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日本原子力研究開発機構 (JAEA) |
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産業技術総合研究所 太陽光発電工学研究センター |
| 著者所属 |
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産業技術総合研究所 太陽光発電工学研究センター |
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東京都市大学 |
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日本原子力研究開発機構(JAEA) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Reseach Unit I, R&D Directorate, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Reseach Unit I, R&D Directorate, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Atomic Energy Agency (JAEA) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Research Center for Photovoltaics (RCPV), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Research Center for Photovoltaics (RCPV), National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Tokyo City University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Atomic Energy Agency (JAEA) |
| 出版者 |
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出版者 |
日本原子力研究開発機構(JAEA) : 宇宙航空研究開発機構(JAXA) : 群馬大学 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Japan Atomic Energy Agency (JAEA) : Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) : Gunma University |
| 書誌情報 |
en : Proceedings of 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-11) (Internet)
p. 73-76,
発行日 2015-11
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA) (November 11-13, 2015. City Performing Arts Center), Kiryu, Gunma, Japan |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
The radiation effect on GaAs p-i-n solar cells with quantum dot (QD) in i-layer was investigated. In previous work, we particularly noted the degradation of fill-factor (FF) for the QD cells. In this work, to clarify the reason of the FF degradation in QD cells, generation current due to low-energy proton irradiation, which we call ion beam induced current (IBIC), was observed to characterize behavior of the generated minority carrier by the protons in the depletion region where QDs are located. The energy of protons was adjusted to damage the depletion region, and decrease of generation current was measured during the proton irradiation. The results suggest that the serious degradation of FF is caused by decrease of the carrier collection efficiency in depletion region due to proton damage. |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AC1600040000 |
