| Item type |
会議発表論文 / Conference Paper(1) |
| 公開日 |
2016-08-01 |
| タイトル |
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タイトル |
Recovery of Radiation Degradation on Inverted Metamorphic Triple-Junction Solar Cells by Light Soaking |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_5794 |
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資源タイプ |
conference paper |
| アクセス権 |
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アクセス権 |
metadata only access |
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アクセス権URI |
http://purl.org/coar/access_right/c_14cb |
| 著者 |
柴田, 優一
今泉, 充
佐藤, 真一郎
大島, 武
大岡, 幸代
高本, 達也
Shibata, Yuichi
Imaizumi, Mitsuru
Sato, Shinichiro
Oshima, Takeshi
Ooka, Sachiyo
Takamoto, Tatsuya
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宇宙航空研究開発機構研究開発部門第一研究ユニット (JAXA) |
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宇宙航空研究開発機構研究開発部門第一研究ユニット (JAXA) |
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日本原子力研究開発機構(JAEA) |
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en |
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Reseach Unit I, R&D Directorate, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
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Reseach Unit I, R&D Directorate, Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Atomic Energy Agency (JAEA) |
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en |
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| 出版者 |
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出版者 |
日本原子力研究開発機構(JAEA) : 宇宙航空研究開発機構(JAXA) : 群馬大学 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Japan Atomic Energy Agency (JAEA) : Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) : Gunma University |
| 書誌情報 |
en : Proceedings of 11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (RASEDA-11) (Internet)
p. 65-68,
発行日 2015-11
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| 会議概要（会議名, 開催地, 会期, 主催者等）（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
11th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications (11th RASEDA) (November 11-13, 2015. City Performing Arts Center), Kiryu, Gunma, Japan |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Radiation response is one of the important properties for space solar cells. It should be well understood so as to accurately predict their degradation in orbit and also to improve their radiation tolerance. Recently, a phenomenon, recovery from the radiation degradation by light soaking, on inverted metamorphic (IMM) triple-junction (3J) solar cells was found out. In this work, the light soaking annealing effects on electron irradiated IMM 3J solar cells are reported. IMM 3J solar cells irradiated with 1 MeV electrons with the fluence of 3×10(exp 15) e(-) /cm2 showed the recovery of open-circuit voltage, Voc, up to 43 mV after light (AM0, 1 sun) soaking of 3 hours. The increment of the electroluminescence intensity for InGaP in the IMM 3J cells due to the light soaking suggests that the Voc recovery occurs in InGaP top-cell rather than GaAs middle-cell or InGaAs bottom-cell. |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AC1600044000 |
