| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
多元系化合物半導体融液の均一分散・混合化(MARANGONI) |
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言語 |
jpn |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多元系化合物半導体融液 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
均一分散化 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
均一混合化 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
マランゴニ対流 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
自由界面 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
分子拡散 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微小重力 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In-Sb |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In-GaSb-Sb |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
重力偏折 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
宇宙実験 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
molten multicomponent compound semiconductor |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
uniform dispersion |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
uniform mixing |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Marangoni convection |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
free interface |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
molecular diffusion |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microgravity |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In Sb |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In GaSb Sb |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
gravity segregation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
space experiment |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル（英） |
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その他のタイトル |
Uniform dispersion and mixing of molten multicomponent compound semiconductor (Marangoni) |
| 著者 |
平田, 彰
今石, 宣之
熊川, 征司
早川, 泰弘
岡野, 泰則
大坂, 敏明
橘, 正人
西澤, 伸一
Hirata, Akira
Imaishi, Nobuyuki
Kumagawa, Masashi
Hayakawa, Yasuhiro
Okano, Yasunori
Osaka, Toshiaki
Tachibana, Masato
Nishizawa, Shinichi
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| 著者所属 |
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早稲田大学 理工学部 |
| 著者所属 |
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九州大学機能物質科学研究所 |
| 著者所属 |
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静岡大学電子工学研究所 |
| 著者所属 |
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静岡大学電子工学研究所 |
| 著者所属 |
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静岡大学 工学部 |
| 著者所属 |
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早稲田大学 理工学部 |
| 著者所属 |
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早稲田大学 理工学部 |
| 著者所属 |
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早稲田大学 理工学部 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Waseda University School of Science and Engineering |
| 著者所属（英） |
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en |
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Institute of Advanced Material Study, Kyushu University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Research Institute of Electronics, Shizuoka University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Shizuoka University Faculty of Engineering |
| 著者所属（英） |
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en |
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Waseda University School of Science and Engineering |
| 著者所属（英） |
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en |
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Waseda University School of Science and Engineering |
| 著者所属（英） |
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en |
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Waseda University School of Science and Engineering |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum
p. 259-270,
発行日 1996-03-15
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
自由界面上の濃度差により発生するマランゴニ対流を活用することにより、化合物半導体の均一混合化技術を確立することを目的として、濃度勾配により生じる真のマランゴニ対流を明らかにし、化合物半導体融液の相互分子拡散係数を求め、さらにマランゴニ対流による混合と分子拡散のみによる混合とを比較するために、地上および微小重力下において、In-Sb(M-1, D-1)とIn-GaSb-Sb(M-2, M-3,M-3', D-2)の計6個の試料を急速に溶融、冷却した。In-Sb系の場合、宇宙で成長した試料について、M-1はほとんど球形であり、またM-1とD-1の双方とも溶融時間が長かったために混合した。一方、地上で成長したD-1は、重力偏折のために、Inの濃度が下方に向かう増加がみられた。均一な濃度分布を持つ結晶は微小重力下で得られることが確認された。In-GaSb-Sb系の場合、宇宙で成長した試料について、M試料は、完全な球形ではないが、丸みを帯びた。Sb側の形状はIn側と比べより収縮した状態となった。結晶中の濃度分布はほとんど均一であった。一方、宇宙で成長したD-2試料の濃度分布は均一でなく、拡散過程が進行していた。濃度差によるマランゴニ対流の活用は、多元系化合物半導体の混合に対し、非常に有効であることが判明した。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
In order to develop a new technique for uniform mixing of the compound semiconductors utilizing Marangoni convection due to the concentration difference on the free interface, and to clarify the real Marangoni convection induced by concentration gradient, to obtain counter molecular diffusivity of molten compound semiconductors, and to compare mixing by Marangoni convection with that by molecular diffusion only, 6 type of samples composed of In-Sb (M-1, D-1) and In-GaSb-Sb (M-2, M-3, M-3', D-2) were melted and cooled rapidly under normal and microgravity. In case of In-Sb system, for space grown samples, M-1 samples was almost sphere, and both M-1 and D-1 were mixed because of long dissolution time. On the other hand, D-1 samples grown on the ground, In concentration increased downward because of gravity segregation. It was confirmed that the crystal with uniform concentration distribution can be obtained under microgravity conditions. In case of In-GaSb-Sb system, for space grown samples, M samples became round although they were not complete sphere. The shape of Sb side was more shrunk compared with that of the In side. The concentration distribution in the crystal was almost uniform. On the other hand, the concentration distribution of D-2 samples grown in space was not uniform and diffusion process was on the way. It was pointed out that the utilization of Marangoni convection due to the concentration difference is very useful for the mixing of multicomponent compound semiconductor. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0000271015 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-960004 |
00271015.pdf (854.7 kB)
