| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
One and two dimensional analyses of growth conditions of In(x)Ga(1-x)As |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(x)Ga(1-x)As |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
半導体結晶 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
冷却速度 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
温度勾配 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
濃度勾配 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長速度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
組成的過冷却 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
残留重力 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長方向 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(x)Ga(1-x)As |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
semiconductor crystal |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
cooling rate |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
temperature gradient |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
concentration gradient |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth rate |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
constitutional supercooling |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
residual gravity |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth direction |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
1次元および2次元数値解析によるIn(x)Ga(1-x)As成長条件 |
| 著者 |
前川, 透
平岡, 良章
松本, 聡
Maekawa, Toru
Hiraoka, Yoshiaki
Matsumoto, Satoshi
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| 著者所属 |
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東洋大学 |
| 著者所属 |
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東洋大学 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
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en |
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Toyo University |
| 著者所属（英） |
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en |
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Toyo University |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum
p. 19-26,
発行日 1999-09-30
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
InAs-GaAsの2元半導体の1次元的結晶成長について計算手法を開発し、冷却速度と温度勾配が結晶成長プロセスに及ぼす影響を検討した。溶液中に不均一な濃度勾配を有する一方向成長法でも、成長速度が3ないし5mm/hの場合には均一な組成の結晶を成長させ得ることがわかった。さらに、組成的過冷却の発生について研究し、温度勾配が30K/cmより高い場合に過冷却度を減少させ得ることがわかった。また、InAs-GaAsの2元半導体の2次元的結晶成長の計算手法を開発し、残留重力とアンプル傾斜角が結晶成長プロセスに及ぼす影響を検討した。その結果、次のことがわかった。対流は10(exp -6)gの条件でも発生し、結晶と溶液の界面は対流によって変形する。成長方向が重力の方向と反対の場合には、対流は減少し拡散条件はほぼ完全に実現できる。成長方向が重力に垂直の場合には、対流は非常に強くなる。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
A calculation method of one-dimensional crystal growth of InAs-GaAs binary semiconductors was developed, and the effect of the cooling rate and the temperature gradient on the crystal growth process were investigated. It was found that crystals of uniform composition can be grown by the one-directional growth method with a nonuniform concentration gradient in the solution if the growth rate is 3 to 5 mm/h. Furthermore, the occurrence of constitutional supercooling was investigated. It was found that the degree of supercooling can be reduced if the temperature gradient is higher than 30 K/cm. A calculation method of two-dimensional crystal growth of InAs-GaAs binary semiconductors was also developed, and the effect of residual gravity and the inclination of ampoule on the crystal growth process was investigated. It was found that convection is induced even under 10(exp -6)g conditions, and the crystal-solution interface is deformed by the convection. Convection is reduced and diffusion conditions can be almost realized if the growth direction is opposite to gravity. Convection becomes quite strong when the growth direction is perpendicular to gravity. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0002208002 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-990006E |
02208002.pdf (481.1 kB)
