| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Constitutional supercooling during directional solidification of In(0.3)Ga(0.7)As melt |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)As |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
方向性固化 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
組成的過冷却 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
混合結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
濃度分布 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
温度勾配 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
移動速度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
急冷 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)Ga |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
directional solidification |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
constitutional supercooling |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
mixed crystal |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
concentration distribution |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
temperature gradient |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
traveling rate |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
quenching |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
In(0.3)Ga(0.7)As融液の一方向凝固の際の組成的過冷却 |
| 著者 |
加藤, 浩和
木下, 恭一
依田, 真一
Kato, Hirokazu T.
Kinoshita, Kyoichi
Yoda, Shinichi
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| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum
p. 39-43,
発行日 1999-09-30
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
組成的過冷却は結晶成長における最も重要な現象の1つである。混合結晶に関する組成的過冷却については理論的解析が幾つか存在するが、組成的過冷却が発生する実験的条件は未だ特定できていない。そこで、溶融In(0.3)Ga(0.7)Asが一方向凝固する際の組成的過冷却の挙動を、固化した試料の濃度分布を評価することによって検討した。その結果、固液(S/L)界面の温度勾配が約40から45度C/cmのとき、組成的過冷却に対する試料移動速度の限界は0.9mm/hから2mm/hの範囲内にあることがわかった。種々の移動速度における濃度分布のパターンについても検討した。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Constitutional supercooling is one of the most important phenomena for crystal growth. There are several theoretical analyses of constitutional supercooling on mixed crystals, but the experimental conditions for the occurrence of constitutional supercooling have not been identified. The constitutional supercooling behavior during directional solidification of a In(0.3)Ga(0.7)As melt was investigated by evaluating concentration distribution of solidified samples. The results showed that the limit of sample traveling rate for constitutional supercooling was between 0.9 mm/h and 2 mm/h when the Solid/Liquid (S/L) interface had a temperature gradient of about 40 to 45 C/cm. The pattern of concentration distribution in various traveling rates was also discussed. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0002208005 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-990006E |
02208005.pdf (813.0 kB)
