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テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Simple thermodynamic equations to calculate driving force for In(x)Ga(1-x)As crystals which grow from their own melt |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs結晶 |
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Other |
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主題 |
熱力学的促進力 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
2格子モデル |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
過剰エンタルピー |
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Other |
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主題 |
InAs-GaAs系 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微分格子パラメータ |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶化プロセス |
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Other |
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主題 |
熱力学方程式 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
状態図 |
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Other |
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主題 |
液相線 |
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主題 |
固相線 |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs crystal |
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en |
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Other |
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主題 |
thermodynamic driving force |
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Other |
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主題 |
two lattice model |
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en |
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Other |
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主題 |
excess enthalpy |
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en |
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Other |
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主題 |
InAs GaAs system |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
differential lattice parameter |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystallization process |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
thermodynamic equation |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
phase diagram |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
liquidus |
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言語 |
en |
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Other |
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主題 |
solidus |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
融液から成長するIn(x)Ga(1-x)Asの成長駆動力計算のための単純化した熱力学的関係式 |
| 著者 |
中村, 裕彦
徂徠, 正夫
石川, 正道
加藤, 浩和
依田, 真一
木下, 恭一
Nakamura, Hirohiko
Sorai, Masao
Ishikawa, Masamichi
Kato, Hirokazu
Yoda, Shinichi
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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三菱総合研究所 先端科学研究所 |
| 著者所属 |
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三菱総合研究所 先端科学研究所 |
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三菱総合研究所 先端科学研究所 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
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Mitsubishi Research Institute Inc Frontier Science Institute |
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en |
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Mitsubishi Research Institute Inc Frontier Science Institute |
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en |
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Mitsubishi Research Institute Inc Frontier Science Institute |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum
p. 45-50,
発行日 1999-09-30
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
InGaAs成長中の熱力学的促進力を評価するために、簡単な2格子過剰エンタルピーモデルを適用した。In-Ga-As系は、2格子モデルの正当性を保ちながらInAS-GaAs擬似2成分系に還元できることがわかった。固相に対する過剰エンタルピー項を推算するために微分格子パラメータモデルを適用した。結晶化プロセスの間の熱力学的促進力を計算するために、熱力学方程式を構築した。この方程式を用いて再構築した状態図により、相に関連する実験データを正しく説明することができた。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
To evaluate thermodynamic driving force during the growth of InGaAs, simple two lattice excess enthalpy model was applied. It was found that the In-Ga-As system could be reduced to InAs-GaAs pseudo-binary system, keeping the validity of the two lattice model. A differential lattice parameter model was applied to estimate the excess enthalpy term for the solid phase. Thermodynamic equations were constructed to calculate the thermodynamic driving force during crystallization processes. Reconstructed phase diagram using the present equation well explained the experimental phase relation data. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0002208006 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-990006E |
02208006.pdf (487.3 kB)
