| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Homogeneous In(0.3)Ga(0.7)As crystal growth by the graded solute concentration method |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)As |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
単結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微小重力 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
残存加速度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
グレーデッド溶質濃縮法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
部分溶融法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
濃度勾配部分溶融法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
スペースシャトル |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
国際宇宙ステーション |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
一様混合結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
地上実験 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)As |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
single crystal |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microgravity |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
residual acceleration |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
graded solute concentration method |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
partial melting method |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
concentration gradient partial melting method |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Space Shuttle |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
International Space Station |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
homogeneous mixed crystal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
ground based experiment |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
グレーデッド溶質濃縮法による均質なIn(0.3)Ga(0.7)As結晶の成長 |
| 著者 |
木下, 恭一
加藤, 浩和
松本, 聡
岩井, 正行
鶴, 哲也
村松, 祐治
依田, 真一
Kinoshita, Kyoichi
Kato, Hirokazu
Matsumoto, Satoshi
Iwai, Masayuki
Tsuru, Tetsuya
Muramatsu, Yuji
Yoda, Shinichi
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| 著者所属 |
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日本電信電話 物性科学基礎研究所 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
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エイ・イー・エス |
| 著者所属 |
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エイ・イー・エス |
| 著者所属 |
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エイ・イー・エス |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 |
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en |
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Nippon Telegraph and Telephone Corporation Basic Research Laboratories |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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Advanced Engineering Services Co Ltd |
| 著者所属（英） |
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en |
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Advanced Engineering Services Co Ltd |
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en |
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Advanced Engineering Services Co Ltd |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
en : NASDA Technical Memorandum
p. 11-14,
発行日 2000-09-29
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
一様な混合結晶を微小重力下でその溶融体から得る新しい結晶成長法「グレーデッド溶質濃縮法」を開発したが、さらにこの方法を部分溶融法の考えを採用することで発展させ、「濃度勾配部分溶融法」と命名した。スペースシャトルや国際宇宙ステーション(ISS)でも、10(exp -3)〜10(exp -4)g程度の残存加速度が残されていて、溶質の非一様性の原因となるが、この方法は残存加速度による成長界面での溶質損失を相殺し、均質な結晶を生成させる。この方法によって地上実験で、一様部分の長さが20mm以上のIn(x)Ga(1-x)As(x=0.20-0.33)の単結晶を得た。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
A new crystal growth method 'the graded solute concentration method' for obtaining homogeneous mixed crystals from their melt in microgravity has been developed and further this method developed by adopting the idea of partial melting method and named 'the concentration gradient partial melting method.' In the Space Shuttle or in the International Space Station (ISS), residual acceleration on the order of 10(exp -3) - 10(exp -4)g still remains and it causes inhomogeneous distribution of the solute, but this method compensates solute loss at the growing interface due to the residual acceleration and produces homogeneous crystals. On the ground-based experiments, single crystals of In(x)Ga(1-x)As with x = 0.20 - 0.33 having longer than 20 mm homogeneous parts were obtained by this method. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0029300001 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-000007E |
29300001.pdf (988.4 kB)
