| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method, 2 |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)As |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
種結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多成分ゾーン溶融法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
供給結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
赤外線レーザダイオード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
レーザ振動 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Bridgman法 |
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Other |
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主題 |
垂直勾配凍結法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
宇宙実験 |
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Other |
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主題 |
単結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多結晶 |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.3)Ga(0.7)As |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
seed crystal |
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en |
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Other |
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主題 |
multicomponent zone melting method |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
feed crystal |
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en |
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Other |
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主題 |
infrared laser diode |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
laser oscillation |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Bridgman method |
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en |
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Other |
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主題 |
vertical gradient freeze method |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
space experiment |
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en |
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Other |
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主題 |
single crystal |
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en |
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Other |
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主題 |
polycrystal |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
多成分ゾーン溶融法によるIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備 2 |
| 著者 |
児玉, 茂夫
中村, 哲夫
木下, 恭一
加藤, 浩和
依田, 真一
Kodama, Shigeo.
Nakamura, Tetsuo.
Kinoshita, Kyoichi
Kato, Hirokazu
Yoda, Shinichi
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| 著者所属 |
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富士通研究所 |
| 著者所属 |
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富士通研究所 |
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宇宙開発事業団 |
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宇宙開発事業団 |
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宇宙開発事業団 |
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en |
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Fujitsu Laboratories Ltd |
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en |
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Fujitsu Laboratories Ltd |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
en : NASDA Technical Memorandum
p. 61-64,
発行日 2000-09-29
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
多成分ゾーン溶融法を使ったIn(0.3)Ga(0.7)As種結晶の準備が宇宙実験のために現在行われている。GaAsの種結晶と供給結晶に挟まれたInAs結晶の資料で、成長するIn(x)Ga(1-x)As結晶のx値を0.03から0.3まで増加させ、数ミリに成長するまで、0.3を維持した。今年になって、In(0.3)Ga(0.7)As単結晶の長さを4mmから6mmに伸ばすことができ、In(0.3)Ga(0.7)As層でのx値のばらつきも±0.01から±0.005にまで押さえ込むことができた。また、In(0.3)Ga(0.7)As多結晶の長さは18mmから20mmにまで伸びた。宇宙実験で使われる種結晶に要求される長さは20mmであるため、In(0.3)Ga(0.7)As単結晶の長さをさらに伸ばす必要があった。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method is currently under way for space experiments. In a sample configuration with an InAs crystal sandwiched between GaAs seed and feed crystals, the x-value of growing In(x)Ga(1-x)As crystal is increased from 0.03 to 0.3 before maintaining at 0.3 for several miilimeters of growth. As this year has progressed, the length of single crystalline In(0.3)Ga(0.7)As has been increased from 4 to 6 mm, the spread of the x value in an In(0.3)Ga(0.7)As layer reduced from +/- 0.01 to +/- 0.005, and the length of polycrystalline In(0.3)Ga(0.7)As increased from 18 to 20 mm. Since the required length of seed crystals in space experiments is 20 mm, the length of the single crystalline In(0.3)Ga(0.7)As has to be increased. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0029300007 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-000007E |
29300007.pdf (276.1 kB)
