| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
|
|
タイトル |
Analysis of compositional fraction in polycrystalline In(x)Ga(1-x)As using Raman scattering |
|
言語 |
en |
| 言語 |
|
|
言語 |
eng |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
In(x)Ga(1-x)As |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
微小重力 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
多結晶 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
基板 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
可変格子適合 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
エピタキシャル成長層 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
光電素子 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
基板結晶 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
出発材料 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
ラマン散乱 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
非破壊法 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
空間的一様性 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
成分比 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
成長過程 |
| キーワード |
|
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
塊状結晶 |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
In(x)Ga(1 minus x)As |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
microgravity |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
polycrystal |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
substrate |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
tunable lattice matching |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
epilayer |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
optoelectronic device |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
substrate crystal |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
starting material |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
Raman scattering |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
nondestructive method |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
spatial homogeneity |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
compositional fraction |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
growth process |
| キーワード |
|
|
言語 |
en |
|
主題Scheme |
Other |
|
主題 |
bulk crystal |
| 資源タイプ |
|
|
資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
|
資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
|
|
その他のタイトル |
ラマン散乱を使ったIn(x)Ga(1-x)As多結晶の組成比解析 |
| 著者 |
Verma, P.
山田, 正良
龍見, 雅美
加藤, 浩和
木下, 恭一
Verma, P.
Yamada, Masayoshi
Tatsumi, Masami
Kato, Hirokazu
Kinoshita, Kyoichi
|
| 著者所属 |
|
|
|
京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
京都工芸繊維大学 |
| 著者所属 |
|
|
|
住友電気工業 伊丹研究所 |
| 著者所属 |
|
|
|
宇宙開発事業団 |
| 著者所属 |
|
|
|
宇宙開発事業団 |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
Kyoto Institute of Technology |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
Sumitomo Electric Industries Ltd Itami Research Laboratories |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
|
|
|
en |
|
|
National Space Development Agency of Japan |
| 出版者 |
|
|
出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
|
|
出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
en : NASDA Technical Memorandum
p. 77-81,
発行日 2000-09-29
|
| 抄録 |
|
|
内容記述タイプ |
Abstract |
|
内容記述 |
In(x)Ga(1-x)As基板材料はInGaAsをベースとした光電素子に対して、基板とエピタキシャル成長層の間の格子を可変的に整合させることを可能にする。しかし、組成比が空間的に一様なInGaAs基板結晶を成長させることは極めて難しい。組成比の一様性を制御する上で最も重要な要素の1つは、成長過程の出発材料として適正なものを選択することである。出発材料が適当な組成比の空間分布を持ったInGaAs多結晶であれば、均質なInGaAs基板結晶を成長させることができる可能性のあることがわかっている。従って、これらの出発材料、特にその組成比を非破壊的方法で解析することが重要になる。ここでは、これらの多結晶出発材料に対する微小ラマン散乱解析の結果を示す。色々なInGaAs多結晶のラマン散乱解析によって評価された組成比は、通常の化学的解析で調べた組成比と良く一致した。ここで紹介した微小ラマン散乱が、塊状InGaAs結晶の組成比とその空間分布を解析する、最良の非破壊的方法の1つであることが確かめられた。 |
| 抄録（英） |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
In(x)Ga(1-x)As substrate material provides a tunable lattice matching between the substrate and the epilayer for InGaAs-based optoelectronic devices. However, it is very difficult to grow InGaAS substrate crystal with a spatial homogeneity in compositional fraction. One of the most important parameters to control the homogeneity of compositional fraction is to choose a proper starting material in the growth process. It has been observed that if the starting material is polycrystalline InGaAs with a certain spatial distribution in compositional fraction, then there is a possibility that homogeneous InGaAS substrate crystal can be grown. It is important to analyze these starting materials, especially, the compositional fraction with a non-destructive method. Here, some results of micro-Raman scattering studies on the compositional fraction in these polycrystalline starting materials are presented. Compositional fractions evaluated by Raman scattering studies in various InGaAs polycrystals show good agreements with those examined by conventional chemical analysis. Micro-Raman scattering presented here is confirmed to be one of the best non-destructive methods to analyze the compositional fraction and its spatial distribution in InGaAs bulk crystals. |
| ISSN |
|
|
収録物識別子タイプ |
ISSN |
|
収録物識別子 |
1345-7888 |
| 資料番号 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
資料番号: AA0029300009 |
| レポート番号 |
|
|
内容記述タイプ |
Other |
|
内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-000007E |
29300009.pdf (278.3 kB)
