| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Preparation of I[lc]nG[lc]aA[lc]s starting materials having the gradient I[lc]nA[lc]s concentration |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(sub x)Ga(sub 1-x)As |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InAs |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
移行液相ゾーン法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
方向性凝固 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
温度プロファイル |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微小重力 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
過冷却 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(sub x)Ga(sub 1-x)As |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InAs |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
traveling liquidus method |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
directional solidification |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
temperature profile |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microgravity |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
supercooling |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
InAsの勾配濃度をもつInGaAs初期物質の調製 |
| 著者 |
弘田, 龍
龍見, 雅美
花上, 康宏
木下, 恭一
Hirota, Ryu
Tatsumi, Masami
Hanaue, Yasuhiro
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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住友電気工業 伊丹研究所 |
| 著者所属 |
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住友電気工業 伊丹研究所 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム |
| 著者所属（英） |
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en |
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Sumitomo Electric Industries Ltd. Itami Research Laboratories |
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en |
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Sumitomo Electric Industries Ltd. Itami Research Laboratories |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Program |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
en : NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
p. 51-57,
発行日 2001-12-25
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
InGaAs starting materials for the crystal growth by the TLZ (Traveling Liquides Zone) method were prepared by the directionally solidification method. The materials have a micro- and microscopically smooth InAs concentration profile without occurrence of a constitutional supercooling. The samples having nominal In composition(x) of 0.3 were cut from the source materials having x = 0.3 - 0.4. Concerning the constitutional supercooling, an evidence for free nucleation ahead of a growth interface from a measurement of microscopic composition profile has been found. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0032602004 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-010016E |
32602004.pdf (1.4 MB)
