| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Study of oxygen atom diffusion coefficient in silicon melts |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
酸素原子 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
拡散係数 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
シリコン結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
窒化ボロン |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
石英結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
濃度プロフィル |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
毛細管技術 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶欠陥 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
oxygen atom |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
diffusion coefficient |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
silicon crystal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
boron nitride |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
quartz crystal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
polycrystal |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
concentration profile |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
capillary technique |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal defect |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
溶融シリコン中の酸素原子拡散係数の研究 |
| 著者 |
寺嶋, 一高
西村, 鈴香
北村, 大剛
Terashima, Kazutaka
Nishimura, Suzuka
Kitamura, Daigo
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| 著者所属 |
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湘南工科大学 材料工学科 |
| 著者所属 |
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湘南工科大学 材料工学科 |
| 著者所属 |
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湘南工科大学 材料工学科 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Shonan Institute of Technology Department of Materials Science and Technology |
| 著者所属（英） |
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en |
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Shonan Institute of Technology Department of Materials Science and Technology |
| 著者所属（英） |
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en |
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Shonan Institute of Technology Department of Materials Science and Technology |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告: Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Reports 2001
en : NASDA Technical Memorandum: Modeling and Precise Experiments of Diffusion Phenomena in Melts Under Microgravity: Annual Reports 2001
p. 143-145,
発行日 2002-12-27
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
The oxygen diffusion has been studied by using the capillary technique. As the initial stage of quartz dissolution into silicon melts causes an experimental error, the holding time of more than 30 min was needed to analyze the diffusion constant. The analyzed diffusion constant of oxygen atoms in silicon melts is suggested to be 2 x 10(exp -4) cm(sup 2)/s. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0045399015 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-020025E |
45399015.pdf (372.9 kB)
