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  1. コンテンツタイプ
  2. 会議発表論文/会議発表用資料 (Conference Paper/Presentation)
  1. JAXA出版物(種類別)
  2. 特別資料 Special Publication(略称:SP)
  3. 2012年度
  4. JAXA-SP-12-008E Proceedings of 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications

Proton Irradiation Effects on Amorphous Silicon Triple-Junction Solar Cells

https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/4303
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/4303
c470ae11-2553-41ac-97c1-00bc3b375309
名前 / ファイル ライセンス アクション
61889009.pdf 61889009.pdf (254.4 kB)
Item type 会議発表論文 / Conference Paper(1)
公開日 2015-03-26
タイトル
タイトル Proton Irradiation Effects on Amorphous Silicon Triple-Junction Solar Cells
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Thin Film Si Solar Cell
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Radiation Effects
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Proton Irradiation
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
著者 Sato, Shinichiro

× Sato, Shinichiro

Sato, Shinichiro

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Beernink, Kevin

× Beernink, Kevin

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Oshima, Takeshi

× Oshima, Takeshi

Oshima, Takeshi

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Sato, Shinichiro

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Beernink, Kevin

× Beernink, Kevin

en Beernink, Kevin

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Oshima, Takeshi

× Oshima, Takeshi

en Oshima, Takeshi

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著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属
United Solar Ovonic LLC
著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
著者所属(英)
en
United Solar Ovonic LLC
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
出版者
出版者 宇宙航空研究開発機構(JAXA)
出版者(英)
出版者 Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
書誌情報 宇宙航空研究開発機構特別資料
en : JAXA Special Publication

巻 JAXA-SP-12-008E, p. 46-49, 発行日 2013-03-29
抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Degradation behavior of a-Si/a-SiGe/a-SiGe triple-junction solar cells irradiated with various energy protons are investigated in situ. It is clarified that the degradation due to proton irradiation is scaled by a unit of displacement damaged dose and thus the proton induced degradation is mainly caused by the displacement damage effect. The performance recoveries immediately after irradiation are also investigated and it is clarified that all the parameters recover significantly at room temperature. In particular, the remarkable recovery is observed in the short circuit current. This is thought to be due to recovery of the carrier lifetime, which is based on annealing of radiation defects.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 形態: カラー図版あり
内容記述(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Physical characteristics: Original contains color illustrations
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1349-113X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11984031
資料番号
内容記述タイプ Other
内容記述 資料番号: AA0061889009
レポート番号
内容記述タイプ Other
内容記述 レポート番号: JAXA-SP-12-008E
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Ver.1 2023-06-21 08:42:54.005916
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