| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
SSPS用高効率・高出力半導体デバイスの試作結果:宇宙エネルギー利用システムの研究 |
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言語 |
jpn |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
宇宙太陽光利用システム |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
マイクロ波パワービーミング |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
電力増幅器 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
マグネトロン |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
半導体装置 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
窒化ガリウム |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
気相エピタキシー |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
太陽電池 |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
space solar power system |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microwave power beaming |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
power amplifier |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
magnetron |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
semiconductor device |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
gallium nitride |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
vapor phase epitaxy |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
solar cell |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル（英） |
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その他のタイトル |
The first test result of GaN semiconductor devices for SSPS: A study of the space energy utilization |
| 著者 |
久田, 安正
藤田, 辰人
Hisada, Yasumasa
Fujita, Tatsuhito
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宇宙航空研究開発機構 総合技術研究本部 |
| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構 総合技術研究本部 |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Aerospace Technology |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Aerospace Technology |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙航空研究開発機構 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 書誌情報 |
宇宙航空研究開発機構特別資料: 平成18年度 宇宙航空研究開発機構 総合技術研究本部 宇宙科学研究本部 研究成果報告書
en : JAXA Special Publication: Report on Research Achievements for FY2006 Institute of Space and Astronautical Science, Institute of Aerospace Technology, Japan Aerospace Exploration Agency
巻 JAXA-SP-06-006,
p. 171-172,
発行日 2006-11-01
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
One of the SSPS Type is the microwave based power transmission (MPT) system: 'M-SSPS' For the M-SSPS, Hi-power and Hi-efficiency semiconductor device are need. In this paper, we describe R & D Program of GaN semiconductor device and the first test result of GaN semiconductor devices for M-SSPS. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1349-113X |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA11984031 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0049500037 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: JAXA-SP-06-006 |
49500037.pdf (466.7 kB)
