| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Numerical study of thermal conduction influence on homogeneity of InGaAs crystals |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
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Other |
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主題 |
結晶成長 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微小重力 |
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Other |
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主題 |
均一結晶 |
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Other |
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主題 |
種結晶 |
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Other |
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主題 |
2次元性 |
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Other |
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主題 |
熱伝達 |
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Other |
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主題 |
坩堝 |
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Other |
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主題 |
窒化ボロン |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
飽和溶融帯移動法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
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Other |
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主題 |
crystal growth |
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Other |
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主題 |
microgravity |
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Other |
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主題 |
homogeneous crystal |
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en |
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Other |
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主題 |
seed crystal |
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Other |
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主題 |
two dimensionality |
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Other |
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主題 |
heat conduction |
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Other |
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主題 |
crucible |
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en |
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Other |
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主題 |
boron nitride |
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en |
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Other |
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主題 |
traveling liquidus zone method |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| 著者 |
足立, 聡
緒方, 康行
吉崎, 泉
松本, 聡
越川, 尚清
高柳, 昌弘
木下, 恭一
依田, 眞一
Adachi, Satoshi
Ogata, Yasuyuki
Yoshizaki, Izumi
Matsumoto, Satoshi
Koshikawa, Naokiyo
Takayanagi, Masahiro
Kinoshita, Kyoichi
Yoda, Shinichi
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| 著者所属 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
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宇宙航空研究開発機構 宇宙科学研究本部 |
| 著者所属（英） |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
| 著者所属（英） |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
| 著者所属（英） |
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en |
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Japan Aerospace Exploration Agency Institute of Space and Astronautical Science |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙航空研究開発機構 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA) |
| 書誌情報 |
宇宙航空研究開発機構特別資料
en : JAXA Special Publication: Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs): Growth of Homogeneous Crystals
巻 JAXA-SP-05-036E,
p. 21-32,
発行日 2006-03-31
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
In order to investigate suitable ampoule configuration for crystal growth experiments under microgravity for obtaining homogeneous crystals, theoretical modeling and numerical simulation are carried out. From the model, a new index named the two-dimensionality is introduced. By calculating the two-dimensionality in a case of a sample diameter of 20 mm, it is found that a combination of an InGaAs seed crystal and a BN crucible is inappropriate from the viewpoint of homogeneity. To find a more appropriate combination of a seed and a crucible materials, a dominant mechanism of two-dimensionality deterioration is discussed. By considering the dominant mechanism, it is successfully obtained of the more suitable combination. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1349-113X |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AA11984031 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0049798004 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: JAXA-SP-05-036E |
49798004.pdf (4.2 MB)
