| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
I[lc]n(sub 0.3)G[lc]a(sub 0.7)A[lc]s seed crystal preparation using the multi-component zone melting method |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
ゾーン溶融法 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
種 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶過程 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(sub x)Ga(sub 1-x)As |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
短結晶 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
温度勾配 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
基板 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
均質性 |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
zone melting method |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
seed |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystallization |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(sub x)Ga(sub 1 minus x)As |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
single crystal |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
temperature gradient |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
substrate |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
homogeneity |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
多成分ゾーン溶融法を用いたIn(sub 0.3)Ga(sub 0.7)As種結晶の調製 |
| 著者 |
児玉, 茂夫
木下, 恭一
花上, 康宏
依田, 真一
Kodama, Shigeo
Kinoshita, Kyoichi
Hanaue, Yasuhiro
Yoda, Shinichi
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| 著者所属 |
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富士通研究所 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム |
| 著者所属（英） |
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en |
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Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Program |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Program |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
en : NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2000): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs). Growth of Homogeneous Crystals
p. 59-64,
発行日 2001-12-25
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
In(0.3)Ga(0.7)As seed crystal preparation using the multi-component zone melting method is currently under way for space experiments. In a sample configuration with an InAs crystal sandwiched between GaAs seed and feed crystals, the x-value of growing In(x)Ga(1-x)As crystal was increased from 0.04 to 0.3 before being maintained at 0.3 for several millimeters of growth. Efforts to increase the single crystalline growth yield have been carried out this year. The appearance of poly-crystallization in the initial stages, during the stage of increasing InAs composition, and during the constant-composition growth stage were studied. Measures were taken to prevent poly-crystalline growth. The yield of single-crystalline structures was thus increased from 0.05 to 0.5. These improved conditions of growth have been used to prepare ten seed crystals for ground experiments. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0032602005 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-010016E |
32602005.pdf (626.0 kB)
