| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Study on polycrystallization and residual strain in bulk I[lc]n(x)G[lc]a(1-x)A[lc]s crystal |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(x)Ga(1-x)As |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多結晶化 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
残余歪み |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Raman散乱 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
フォトルミネッセンス |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
多成分ゾーンメルティング |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(x)Ga(1-x)As |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
polycrystallization |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
residual strain |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
Raman scattering |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
photoluminescence |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
multicomponent zone melting |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
バルクなIn(x)Ga(1-x)As結晶における多結晶化と残余歪みの研究 |
| 著者 |
Islam, M. R.
Verma, P.
山田, 正良
児玉, 茂夫
花上, 康宏
木下, 恭一
Islam, M. R.
Verma, P.
Yamada, Masayoshi
Kodama, Shigeo
Hanaue, Yasuhiro
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科 |
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京都工芸繊維大学 ベンチャー・ラボラトリー |
| 著者所属 |
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京都工芸繊維大学 工芸学部 電子情報工学科 |
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富士通研究所 |
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宇宙開発事業団 |
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宇宙開発事業団 |
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en |
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Kyoto Institute of Technology Dept. of Electronics and Information Science, Faculty of Engineering and Design |
| 著者所属（英） |
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en |
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Kyoto Institute of Technology Venture Laboratory |
| 著者所属（英） |
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en |
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Kyoto Institute of Technology Dept. of Electronics and Information Science, Faculty of Engineering and Design |
| 著者所属（英） |
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en |
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Fujitsu Laboratories Ltd. |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (InGaAs)-Growth of Homogeneous Crystals
en : NASDA Technical Memorandum: Annual Report of the Semiconductor Team in NASDA Space Utilization Research Program (2001): Effects of Microgravity Environment on Growth Related Properties of Semiconductor Alloys (I[lc]nG[lc]aA[lc]s)-Growth of Homogeneous Crystals
p. 61-71,
発行日 2002-12-27
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| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Micro-Raman scattering and photoluminescence (PL) studies were performed to understand the polycrystallization mechanism in bulk In(x)Ga(1-x)As crystal grown by the two-step multi-component zone melting (MCZM) method. Raman studies were also performed with the aim to understand the influence of residual strain on the shifts in phonon frequencies in Raman spectra. Unlike the usual observation of polycrystallization at the peripheral region of the ingot, a special polycrystallization was observed in the etching results inside the MCZM crystal. The polycrystalline region was found to have a drastic fluctuation of phonon peak positions as well as PL peak wavelength (composition) in the local region, which could be due to supercooling resulting in formation of polycrystal in the investigated crystal. Further, it is observed that the LO(sub GaAs) phonon frequency is varied for various measurement points, which may be related to the compositional variation in the samples. However, it is found from precise micro-Raman measurements both in a corner region and in a chipped region that there exists a large amount of residual strain in the samples. By comparing the observed LO(sub GaAs) phonon frequencies with those estimated from the compositions determined by the energy dispersive x-ray analysis, they are found to be shifted by about 9.5 cm(sup -1) due to residual strain, which corresponds to a strain value of the order of 10(exp -2). |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0045402005 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-020024E |
45402005.pdf (5.2 MB)
