ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. コンテンツタイプ
  2. 会議発表論文/会議発表用資料 (Conference Paper/Presentation)
  1. JAXA出版物(種類別)
  2. 特別資料 Special Publication(略称:SP)
  3. 2012年度
  4. JAXA-SP-12-008E Proceedings of 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications

Heavy-Ion Induced Charge Enhancement in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes

https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/4308
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/4308
5107640b-8517-4f9a-b7fb-44c9e4577e8b
名前 / ファイル ライセンス アクション
61889014.pdf 61889014.pdf (286.7 kB)
Item type 会議発表論文 / Conference Paper(1)
公開日 2015-03-26
タイトル
タイトル Heavy-Ion Induced Charge Enhancement in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Charge enhancement
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Heavy-Ion
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Silicon Carbide
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Single Event Burnout
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
著者 Makino, T.

× Makino, T.

Makino, T.

Search repository
Deki, M.

× Deki, M.

Deki, M.

Search repository
Iwamoto, N.

× Iwamoto, N.

Iwamoto, N.

Search repository
Onoda, S.

× Onoda, S.

Onoda, S.

Search repository
Hoshino, N.

× Hoshino, N.

Hoshino, N.

Search repository
Tsuchida, H.

× Tsuchida, H.

Tsuchida, H.

Search repository
Oshima, T.

× Oshima, T.

Oshima, T.

Search repository
Makino, T.

× Makino, T.

en Makino, T.

Search repository
Deki, M.

× Deki, M.

en Deki, M.

Search repository
Iwamoto, N.

× Iwamoto, N.

en Iwamoto, N.

Search repository
Onoda, S.

× Onoda, S.

en Onoda, S.

Search repository
Hoshino, N.

× Hoshino, N.

en Hoshino, N.

Search repository
Tsuchida, H.

× Tsuchida, H.

en Tsuchida, H.

Search repository
Oshima, T.

× Oshima, T.

en Oshima, T.

Search repository
著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属
徳島大学
著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属
電力中央研究所
著者所属
電力中央研究所
著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
著者所属(英)
en
University of Tokushima
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
著者所属(英)
en
Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)
著者所属(英)
en
Central Research Institute of Electric Power Industry (CRIEPI)
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
出版者
出版者 宇宙航空研究開発機構(JAXA)
出版者(英)
出版者 Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
書誌情報 宇宙航空研究開発機構特別資料
en : JAXA Special Publication

巻 JAXA-SP-12-008E, p. 68-71, 発行日 2013-03-29
抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Heavy ion induced anomalous charge collection was observed in 4H-SiC Schottky Barrier Diodes (SBDs). This result is a new process of Single Event Burnouts (SEBs) in the case of incident ions on SiC-SBDs. It is suggested that the range of the incident ions with respect to the thickness of the epi-layer, ion energy, and electric-field intensity of the SBD is key to understanding this observation and understanding the SEB mechanism.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 形態: カラー図版あり
内容記述(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Physical characteristics: Original contains color illustrations
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1349-113X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11984031
資料番号
内容記述タイプ Other
内容記述 資料番号: AA0061889014
レポート番号
内容記述タイプ Other
内容記述 レポート番号: JAXA-SP-12-008E
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2023-06-21 08:42:46.983908
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3