| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Preparation of InGaAs starting materials with the gradient InAs concentration |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
傾斜濃度 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成分プロフィル |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
一方向凝固 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
組成的過冷却 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
温度勾配 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長速度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
結晶成長 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
核形成 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長界面 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
gradient concentration |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
compositional profile |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
directional solidification |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
constitutional supercooling |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
temperature gradient |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth rate |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
crystal growth |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
nucleation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth interface |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
InAs濃度勾配を有するInGaAs原料の調整 |
| 著者 |
橋尾, 克司
龍見, 雅美
加藤, 浩和
木下, 恭一
Hashio, Katsushi
Tatsumi, Masami
Kato, Hirokazu
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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住友電気工業 半導体材料研究部 |
| 著者所属 |
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住友電気工業 伊丹研究所 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属（英） |
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en |
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Sumitomo Electric Industries Ltd Semiconductor Division |
| 著者所属（英） |
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en |
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Sumitomo Electric Industries Ltd Itami Research Laboratories |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum
p. 51-56,
発行日 1999-09-30
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
成分プロフィルを制御したIn(x)Ga(1-x)As多結晶を調製することを、通常の一方向凝固を用いつつ組成的過冷却を発生させることなく実現することができた。成長界面において40K/cmの高い温度勾配を設けることにより、成長速度を0.62mm/hまで減らした状態で組成的過冷却を抑制することに成功した。組成的過冷却にある溶融体からの結晶成長において組成が周期的に変動することから、過冷却度は成長界面の前面で最大であり、その場所で核形成と成長が急激に起こっていると推察することができる。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Preparation of In(x)Ga(1-x)As polycrystals having a controlled compositional profile can be realized without occurrence of the constitutional supercooling by using normal directional solidification. Under a high temperature gradient of 40 K/cm at the growth interface, the constitutional supercooling has been successfully suppressed by reducing the growth rate to 0.62 mm/h. From the periodic fluctuation of the composition in the crystal grown from the constitutional supercooling melt, it is supposed that the degree of the supercooling becomes maximum in front of the growth interface, where nucleation and growth occur abruptly. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0002208007 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-990006E |
02208007.pdf (1.0 MB)
