| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Measurements of thermal diffusivity of molten InGaAs by the laser flash method |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
熱拡散率 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
レーザ・フラッシュ法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.8)Ga(0.2)As |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
黒鉛円盤 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
砒素 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
高速IC |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
光電材料 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
レーザダイオード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
単結晶 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
透明クオーツ容器 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
高蒸気圧 |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
thermal diffusivity |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
laser flash method |
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en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In(0.8)Ga(0.2)As |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
graphite disk |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
arsenic |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
high speed IC |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
optoelectronic material |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
laser diode |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
monocrystal |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
transparent quartz container |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
high vapor pressure |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
レーザーフラッシュ法による溶融InGaAsの熱拡散率の測定 |
| 著者 |
長島, 敏夫
加藤, 浩和
林, 義雄
-
木下, 恭一
Nagashima, Toshio
Kato, Hirokazu
Hayashi, Yoshio
Hayakawa, Harunobu
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属 |
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エイ・イー・エス 宇宙ステーショングループ |
| 著者所属 |
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エイ・イー・エス 宇宙ステーショングループ |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究システム |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 著者所属（英） |
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en |
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Advanced Engineering Services Co Ltd Space Station Group |
| 著者所属（英） |
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en |
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Advanced Engineering Services Co Ltd Space Station Group |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Program |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
宇宙開発事業団技術報告
en : NASDA Technical Memorandum
p. 51-54,
発行日 2000-09-29
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
溶融In(0.8)Ga(0.2)Asの熱拡散率をレーザ・フラッシュ法を使って測定した。In(0.8)Ga(0.2)As 試料は薄い黒鉛円盤に挟まれ、砒素の高蒸気圧に耐える充分な強度を有した平面窓を持つ水晶容器に封入した。結果として、3層のセルを形成した。溶融In(0.8)Ga(0.2)Asの熱拡散率は融点から1,150度Cまでで、10〜12mm(exp 2)/sであった。測定された熱拡散率のばらつきは5%以下であった。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
Thermal diffusivity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was measured using the laser-flash method. The sample In(0.8)Ga(0.2)As was sandwiched between thin graphite disks, and sealed in a transparent quartz container with a flat window of sufficient strength to withstand the high-vapor pressure of arsenic. As a result, a three-layered cell was formed. Thermal diffusivity of molten In(0.8)Ga(0.2)As was 10 - 12 mm(exp 2)/s from melting point to 1,150 C. Scattering of the measured thermal diffusivity was less than 5 percent. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 書誌レコードID |
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収録物識別子タイプ |
NCID |
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収録物識別子 |
AN00364784 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0029300005 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-000007E |
29300005.pdf (374.0 kB)
