| Item type |
テクニカルレポート / Technical Report(1) |
| 公開日 |
2015-03-26 |
| タイトル |
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タイトル |
Preparation of InGaAs starting materials having the gradient InAs concentration |
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言語 |
en |
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言語 |
eng |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
出発材料 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
方向性固化法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
過冷却 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
核生成 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長界面 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
蛍光X線法 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微視的にスムーズな濃度 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In組成 |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
成長実験 |
| キーワード |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
微視的評価 |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
InGaAs |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
starting material |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
directional solidification method |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
supercooling |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
nucleation |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth interface |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
fluorescent X ray method |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microscopically smooth concentration |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
In composition |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
growth experiment |
| キーワード |
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言語 |
en |
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主題Scheme |
Other |
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主題 |
microscopic evaluation |
| 資源タイプ |
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資源タイプ識別子 |
http://purl.org/coar/resource_type/c_18gh |
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資源タイプ |
technical report |
| その他のタイトル |
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その他のタイトル |
InAs濃度勾配のあるInGaAs出発物質の準備 |
| 著者 |
龍見, 雅美
加藤, 浩和
木下, 恭一
Tatsumi, Masami
Kato, Hirokazu
Kinoshita, Kyoichi
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| 著者所属 |
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住友電気工業 伊丹研究所 |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属 |
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宇宙開発事業団 宇宙環境利用研究センター |
| 著者所属（英） |
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en |
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Sumitomo Electric Industries Ltd Itami Research Laboratories |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 著者所属（英） |
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en |
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National Space Development Agency of Japan Space Utilization Research Center |
| 出版者 |
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出版者 |
宇宙開発事業団 |
| 出版者（英） |
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出版者 |
National Space Development Agency of Japan (NASDA) |
| 書誌情報 |
en : NASDA Technical Memorandum
p. 55-59,
発行日 2000-09-29
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| 抄録 |
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内容記述タイプ |
Abstract |
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内容記述 |
InAs濃度勾配のあるInGaAs出発物質を方向性固化法で準備した。材料は過冷却をおこすことなく、巨視的微視的になめらかな濃度分布を持っていた。成長実験のためのIn成分xが0.3の試料は、x=0.4の材料物質から切り出した。過冷却領域でのIn濃度の微視的評価は、自由核生成が成長界面の前で起こり、新たな成長界面が形成されることを示唆していた。 |
| 抄録（英） |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
InGaAs starting materials having gradient InAs concentrations were prepared by the directionally solidification method. The materials have macro and microscopically smooth concentration profile without occurrence of a constitutional supercooling. The sample having In composition (x) of 0.3 for growth experiments was cut from the source materials having x = 0.4. The microscopic evaluation of In concentration on a region of the constitutional supercooling suggests that free nucleations occur ahead of a growth interface and a new growth interface is formed. |
| ISSN |
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収録物識別子タイプ |
ISSN |
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収録物識別子 |
1345-7888 |
| 資料番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
資料番号: AA0029300006 |
| レポート番号 |
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内容記述タイプ |
Other |
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内容記述 |
レポート番号: NASDA-TMR-000007E |
29300006.pdf (961.1 kB)
