ログイン
言語:

WEKO3

  • トップ
  • ランキング
To
lat lon distance
To

Field does not validate



インデックスリンク

インデックスツリー

メールアドレスを入力してください。

WEKO

One fine body…

WEKO

One fine body…

アイテム

  1. コンテンツタイプ
  2. 会議発表論文/会議発表用資料 (Conference Paper/Presentation)
  1. JAXA出版物(種類別)
  2. 特別資料 Special Publication(略称:SP)
  3. 2012年度
  4. JAXA-SP-12-008E Proceedings of 10th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Applications

Consideration of Single-Event Gate Rupture Mechanism in Power MOSFET

https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/4325
https://jaxa.repo.nii.ac.jp/records/4325
fe10753a-e84f-47ae-892e-6ed9161ddb47
名前 / ファイル ライセンス アクション
61889031.pdf 61889031.pdf (188.0 kB)
Item type 会議発表論文 / Conference Paper(1)
公開日 2015-03-26
タイトル
タイトル Consideration of Single-Event Gate Rupture Mechanism in Power MOSFET
言語 en
言語
言語 eng
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Power MOSFETs
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 SEGR
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 Heavy ions
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 single-event effects
キーワード
言語 en
主題Scheme Other
主題 radiation damage
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_5794
資源タイプ conference paper
著者 Kuboyama, S.

× Kuboyama, S.

Kuboyama, S.

Search repository
Mizuta, E.

× Mizuta, E.

Mizuta, E.

Search repository
Ikeda, N.

× Ikeda, N.

Ikeda, N.

Search repository
Abe, H.

× Abe, H.

Abe, H.

Search repository
Ohshima, T.

× Ohshima, T.

Ohshima, T.

Search repository
Tamura, T.

× Tamura, T.

Tamura, T.

Search repository
Kuboyama, S.

× Kuboyama, S.

en Kuboyama, S.

Search repository
Mizuta, E.

× Mizuta, E.

en Mizuta, E.

Search repository
Ikeda, N.

× Ikeda, N.

en Ikeda, N.

Search repository
Abe, H.

× Abe, H.

en Abe, H.

Search repository
Ohshima, T.

× Ohshima, T.

en Ohshima, T.

Search repository
Tamura, T.

× Tamura, T.

en Tamura, T.

Search repository
著者所属
宇宙航空研究開発機構(JAXA)
著者所属
宇宙航空研究開発機構(JAXA)
著者所属
宇宙航空研究開発機構(JAXA)
著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属
日本原子力研究開発機構(JAEA)
著者所属
宇宙航空研究開発機構(JAXA)
著者所属(英)
en
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
著者所属(英)
en
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
著者所属(英)
en
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
著者所属(英)
en
Japan Atomic Energy Agency (JAEA)
著者所属(英)
en
Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
出版者
出版者 宇宙航空研究開発機構(JAXA)
出版者(英)
出版者 Japan Aerospace Exploration Agency (JAXA)
書誌情報 宇宙航空研究開発機構特別資料
en : JAXA Special Publication

巻 JAXA-SP-12-008E, p. 142-145, 発行日 2013-03-29
抄録(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 The catastrophic failure mode caused by single-event gate rupture phenomenon observed in power MOSFETs still remains as a critical issue for those devices to be used in space radiation environments. Detailed analyses of the devices damaged by the phenomenon suggested a new possible mechanism. A preliminary model for the mechanism was proposed.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 形態: カラー図版あり
内容記述(英)
内容記述タイプ Other
内容記述 Physical characteristics: Original contains color illustrations
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 1349-113X
書誌レコードID
収録物識別子タイプ NCID
収録物識別子 AA11984031
資料番号
内容記述タイプ Other
内容記述 資料番号: AA0061889031
レポート番号
内容記述タイプ Other
内容記述 レポート番号: JAXA-SP-12-008E
戻る
0
views
See details
Views

Versions

Ver.1 2023-06-21 08:42:13.642148
Show All versions

Share

Mendeley Twitter Facebook Print Addthis

Cite as

エクスポート

OAI-PMH
  • OAI-PMH JPCOAR 2.0
  • OAI-PMH JPCOAR 1.0
  • OAI-PMH DublinCore
  • OAI-PMH DDI
Other Formats
  • JSON
  • BIBTEX

Confirm


Powered by WEKO3


Powered by WEKO3